Hall8800 for analysis of Hall-effect
Hall8800霍尔效应分析仪
应用范围:研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数
sample size:10mm x10mm----15mm x15mm
样品尺寸: 10mm x10mm ---15mm x15mm (可定制)
Measurement Temperature: room temperature、77K(option)
测试温度:室温,可以选配77K低温。
Measurement Material: Semiconductors material such as
Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)
测试材质:半导体类材质、如：
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)
Magnet Flux Density: 0.48 Tesla～1Tesla
磁场强度: 0.48 Tesla～1Tesla(根据不同应用所配置)
Magbnet Stability: ±2% over 1 years
稳定性: ±2%（超过一年）
Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center
均匀度：± 1%(20mm直径圆范围内)
Pole Gap: 20 mm
磁极间隙：20毫米
Output current:: 2nA~100mA
输出电流：2nA~100mA
Input voltage range: 1μVto 300V
输入电压范围：1μV ~300V
Hall voltage range: 10uV to 2000mV
霍尔电压范围: 10uV to 2000mV
Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107
电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107
Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021
载流子浓度(1/cm3): 107 ~ 1021
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