MMR Hall Effect Measurement System
controlled continuously variable temperature
MMR可控连续变温霍尔效应测试系统
?
Compact table top design（简洁桌上型设计）
?
Two methods of contacting samples:（两种样品接触法）
?
SpringLoaded probes（弹簧探针）
?
WireBonding with Harness（PCB引线治具）
?
Information Provided
?
CarrierMobility(载流子迁移率)
?
CarrierConcentration(载流子浓度)
?
CarrierTypes (载体类型)
? n-type or p-type（N型或P型）
?
ResistanceMeasurements（阻值）
? Effect of a Magnetic Field(磁场变换下结果)
? Effect of Temperature(温度影像下结果)
|
1.
|
设备名称：
|
霍尔效应测试仪
|
|
2.
|
功能描述：
|
测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
|
|
3.
|
设备明细：
|
|
3-1
|
测试范围：
|
Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
|
|
3-2
|
磁场：
|
|
3-2-1
|
磁场强度：
|
0.5T 电磁体
（0.5T
永磁体 / 1.4T 电磁体
两种磁场可选）
|
|
3-2-2
|
磁场类型：
|
电磁体
|
|
3-2-3
|
磁场均匀性：
|
磁场不均匀性＜±1 %
|
|
3-3
|
测试样品：
|
|
3-3-1
|
样品测试仓：
|
全封闭、带玻璃窗口
|
|
3-4
|
温 度：
|
|
3-4-1
|
温度区域：
|
80K ~730K
|
|
3-4-2
|
温控精度：
|
0.1K
|
|
3-4-3
|
温控稳定性：
|
±0.1 K
|
|
3-5
|
电阻率范围：
|
10-6~1013 Ohm*cm
|
|
3-6
|
电阻范围：
|
10 m Ohms~ 10G Ohms
|
|
3-7
|
载流子浓度：
|
102~1022cm-3
|
|
3-8
|
迁移率：
|
10-2~109 cm2/volt*sec
|
|
3-9
|
输入电流：
|
|
3-9-1
|
电流范围：
|
0.1 pA~10mA
|
|
3-9-2
|
电流精度：
|
2%
|
|
3-10
|
输入电压：
|
|
3-10-1
|
电压范围：
|
±2.5V,最小可测到6×10-6V
|
|
3-10-2
|
电压分辨率：
|
3×10-7V
|
|
3-10-3
|
电压精度：
|
2%
|
|
4.
|
仪器优点：
|
|
4-1
|
采用van der Pauw法测试。
|
|
4-2
|
可测1cmX1cm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一个。
|
|
4-3
|
配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自动。测试数据能够方便的储存和导出。
|
|
4-4
|
模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统。
|
|
4-5
|
测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优。
|
|
4-6
|
在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试。
|