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深能级瞬态谱仪DLTS

产品型号: FT1030
有 效 期: 长期有效
所 在 地: 上海市闸北区
配送信息:
供应数量:不限
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详细说明

FT1030深能级瞬态谱仪器


PhysTech在1990年推出了台数字DLTS,随着电脑技术的发展,使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上,用各种数学模型分析测量到的瞬态过程,如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS(等温瞬态光谱)信号重叠法、温度扫描信号重叠法(重折叠)。与其他系统相比,HERA-DLTS具有无法比拟的能量分辨率。

   半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△Ct)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有很高检测灵敏度的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS谱。


特点

l         自动接触检查

l         常规测试和加强软件

l         自动电容补偿

l         三终端FET电流瞬态测量

l         大电容和浓度范围

l         灵活性高、模块化硬件

l         支持各种冷却仓和温度控制器

l         傅里叶转换(F-DLTS),比例窗口和用户自定义校正功能

l         DLTFS(深层瞬态傅里叶光谱仪)评价


操作模式

l         C-DLTS

l         CC-DLTS

l         I-DLTS

l         DD-DLTS

l         Zerbst-DLTS

l         O-DLTS

l         FET-Analysis

l         MOS-Analysis

l         ITS(等温瞬态光谱仪)

l         缺陷分析

l         俘获截面测量

l         I/V, I/V(T)理查森标绘图

l         C/V, C/V(T)

l         TSC/TSCAP

l         PITS(光子诱导瞬态谱)

l         DLOS(特殊系统)

规格


分辨率:

1*108 atoms/cm3

脉冲发生器

电压范围

±20.4V(±102opt.)

电压分辨率

0.625mV

电流

>±15mA

脉冲宽度

s-1000s

快速脉冲选配

电容表

HF信号

100Mv@1MHz(20mV optional)

范围[pF]

3,30,300,3000(自动或手动)

电容补偿

0.1-3000 pF(自动或手动)

灵敏度

0.01 fF

电压测量

范围

±10V

灵敏度

1μV

输入电阻

106Ohm

可提供偏压补偿

电流测试

范围

5,从±1μA 到±10mA

灵敏度

1pA

可提供漏电保护

瞬态记录

样品速率

s到2000s

样品数量

16-16384(opt.64k)

可调节抗失真滤膜

标准冷却仓

温度范围

300K/10K-600K/77K~800K

温度扫描方式:

使用28个不同的相关功能(软件)通过一次温度扫描,给出28个温度扫描信号。

典型性能Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV)

灵敏度

10-7T/(ND-NA)<10-5

能量精度

HT+/-3%

能量分辨率

10meV

发射率

10-3/s4/s


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